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先進的多功能TOF-SIMS更強大的微區分析能力，更加出色的分析精度
飛行時間二次離子質譜儀
·最新一代TRIFT質量分析器，更好的質量分辨率
·適用于絕緣材料的無人值守自動化多樣品分析
·獨特的離子束技術
·平行成像MS/MS功能，助力有機大分子結構分析
·多功能選配附件
適用于各種形貌樣品的TRIFT質量分析器
寬帶通能量 寬立體接收角
一次離子源激發的二次離子會以不同角度和能量從樣品表面飛出，特別是對于有高度差異和形貌不規則的樣品，即使相同的二次離子在分析器中會存在飛行時間上的差異，因此導致質量分辨率變差，并對譜峰形狀和背景產生影響。
TRIFT質量分析器可以同時對二次離子發射角度和能量進行校正，保證相同二次離子的飛行時間一致，所以TRIFT 兼顧了高質量分辨率和高檢測靈敏度優勢，而且對于不平整樣品的成像可以減少陰影效應。
實現高精度分析的一次離子源
先進的離子束技術實現更高質量分辨
PHI nanoTOF 3+能夠提供高質量分辨和高空間分辨的TOF-SIMS分析:在高質量分辨模式下，其空間分辨率優于500nm；在高空間分辨模式下，其空間分辨模式優于50nm。通過結合高強度離子源、高精度脈沖組件和高分辨率質量分析器，可以實現低噪聲、高靈敏度和高質量分辨率的測量;在這兩種模式下，只需幾分鐘的測試時間，均可完成采譜分析。
前所未見的無人值守TOF-SIMS自動化多樣品分析
適用于絕緣材料
PHI nanoTOF 3+搭載全新開發的自動化多樣品分析功能，程序可根據樣品導電性自動調整分析時所需的高度與樣品臺偏壓，可以對包括絕緣材料在內的各類樣品進行無人值守自動化TOF-SIMS分析。
整個分析過程非常簡單，只需三步即可對多個樣品進行表面或深度分析：①在進樣室拍攝樣品臺照片; ②在進樣室拍攝的照片上指定分析點; ③按下分析鍵，設備自動開始分析。
過去，必須有熟練的操作人員專門操作儀器才能進行TOF-SIMS分析；現在，無論操作人員是否熟練，都可以獲得高質量的分析數據。
標配自動化傳樣系統
PHI nanoTOF 3+配置了在XPS上表現優異的全自動樣品傳送系統：最大樣品尺寸可達100 mmx100mm，而且分析室標配內置樣品托停放裝置; 結合分析序列編輯器(Queue Editor)，可以實現對大量樣品的全自動連續測試。
新一代脈沖氬離子源
獲得專利的自動荷電雙束中和技術
TOF-SIMS測試的大部分樣品為絕緣樣品，而絕緣樣品表面通常有荷電效應。PHI nanoTOF 3+采用自動荷電雙束中和技術，通過同時發射低能量電子束和低能量氬離子束，可對任何類型和各種形貌的絕緣材料實現真正意義上的自動荷電中和，無需額外的人為操作。
遠程訪問實現遠程控制儀器
PHI nanoTOF 3+允許通過局域網或互聯網訪問儀器。只需將樣品臺放入進樣室，就可以對進樣、換樣、測試和分析等所有操作進行遠程控制。我們的專業人員可以對儀器進行遠程診斷
*如需遠程診斷，請聯系我們的客戶服務人員。
從截面加工到截面分析：只需一個離子源即可完成
一次離子源具備FIB(Focused Ion Beam)功能
在PHl nanoTOF3+中，液態金屬離子源具備FIB功能，可以使用標配的一次離子源對樣品進行橫截面加工和橫截面TOF-SIMS分析。通過操作計算機，可以快速輕松地完成從FIB處理到TOF-SIMS分析的全過程。此外，可在冷卻條件下進行FIB加工。
在選配Ga源進行FIB加工時，可以獲得FIB加工區域的3D影像；Ga源還可以作為第二分析源進行TOF-SIMS分析。
通過平行成像MS/MS進行分子結構解析
平行成像MS/MS可同時采集MS1/MS2數據(專利)
在TOF-SIMS測試中，MS1質量分析器會接受所選質量范圍內所有的二次離子碎片，對于質量數較大的分子離子，僅根據MS1譜圖難以進行區分。通過串聯質譜組件MS2質量分析器可對選擇特定離子進行碰撞誘導解離，并采集所生成的次級離子碎片，根據MS2譜圖所提供的二級質譜信息可對有機大分子結構進行準確識別。
PHl nanoTOF3+具備串聯質譜MS/MS平行成像功能，可以同時獲取分析區域的MS1和MS2數據，為有機大分子結構解析提供了強有力的工具。
多樣化配置充分發揮TOF-SIMS潛力
可拆卸手套箱: 可安裝在樣品進樣室
可以選配直接連接到樣品進樣室的可拆卸手套箱。鋰離子電池和有機OLED等容易與大氣發生反應的樣品可以直接安裝在樣品臺上。此外，在冷卻分析后更換樣品時，可以防止樣品表面結霜。
氬團簇離子源(Ar-GCIB)：有機材料深度剖析
使用氬團簇離子源(Ar-GCIB)能夠有效減少濺射過程中對有機材料的破壞，從而在刻蝕過程中保留有機大分子結構信息。
Cs源和Ar/02源:無機材料深度剖析
可根據測試需求選擇不同的離子源提高二次離子產額，使用Cs源可增強負離子產額；O2源可增強正離子產額。
場地和環境要求(標配
設施要求
電力：200-230 V交流 · 單相50 A 50/60 Hz,
接地：D種
壓縮空氣：550-700 kPa
干氮氣：最大18 kPa
Ar氣：99.9995%
環境要求
靜磁場：小于100 uT(1 G)
交變磁場：小于0.3 uT(3 mG)
振動：不超過6.35 um/sec.(1100 Hz)
溫度：24.0℃±3.0℃
濕度：小于 70 %(無冷凝)
主要性能指標(使用Bi3++初次離子源)
低質量數質量分辨率：m/Δm ≥15,000 @ m/z=28, Si+(硅標樣)
絕緣樣品質量分辨率：m/Δm ≥15,000 @m/z=104,C7H4O+(PET標樣)
束斑直徑：50 nm(高空間分辨率模式下最小脈沖束斑直徑)
500 nm(高質量分辨率模式下最小脈沖束斑直徑)
選配附件
平行成像串聯質譜MS/MS，氬氣團簇離子源，C60團簇離子源，銫離子源，氬氣/氧氣離子源，加熱/冷熱樣品臺模塊，高溫樣品臺模塊，樣品傳送裝置，氧噴射源，聚焦離子束，聚焦離子束軟件，樣品制備腔室，進樣室手套箱，離線數據分析軟件，靜態二次離了數據庫。
長按屏幕識別二維碼
打開手機掃描二維碼
