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質量校準是TOF-SIMS數據處理中的關鍵步驟，校準準確性直接影響譜峰識別的可靠性。本期技術文章將介紹如何正確進行TOF-SIMS數據的質量校準。

飛行時間二次離子質譜（TOF-SIMS）是一種具有極高表面靈敏度和檢測靈敏度的分析技術，已成為能源材料表界面研究不可或缺的工具。接下來，讓我們通過浙江大學陸俊研究團隊在鋰硫電池和鋰金屬電池的研究工作，進一步了解TOF-SIMS 在電池表界面研究中的重要作用。

冷凍X射線光電子能譜（cryo-XPS）與氬氣團簇離子束（GCIB）濺射聯用技術，首次實現對鋰金屬電池中含有機電解液的固-液界面進行無化學損傷的深度成分解析，揭示真實SEI結構與演化過程。

低能量反光電子能譜（LEIPS）通過測量不同工藝條件下有機薄膜的LUMO能級變化，揭示了添加劑和熱退火處理對表面能級的調控作用。

在二次離子質譜設備的硬件結構中，用于轟擊樣品表面以產生二次離子的分析源是極為重要的核心組件。目前，大部分商用TOF-SIMS設備均采用液態金屬離子源（Liquid Metal Ion Source, 簡稱LMIS）。本文將詳細介紹LMIS的工作原理、發展歷史及其在TOF-SIMS中的應用。

導語：利用X射線光電子能譜（XPS）和硬X射線光電子能譜（HAXPES）技術，深入研究了Li?NiO?電極材料在表面至30納米深度范圍內，鎳（Ni）和氧（O）在充放電過程中的電荷補償行為。